封装/外壳:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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NTNS3A91PZT5G ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.22...
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NTNS3190NZT5G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.22...
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NTNS3193NZT5G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 224M...
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MOSFET N-CH 20V 0.22...
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