功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
STL12HN65M2 STMicroelectronics
POWER MOSFET
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