功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TK70D06J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 70A...
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TK60D08J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 60A...
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TK55D10J1(Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A...
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