功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
2SK3466(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A...
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2SK3388(TE24L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 20A...
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