供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 55A...
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HAT2165H-EL-E Renesas Electronics America
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ATP103-TL-H ON Semiconductor
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