晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

封装/外壳：

供应商器件封装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

7 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
TPC8042(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 18A...	-	1	580	提交询价
TPC8042(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 18A...	-	1	580	提交询价
TPC8042(TE12L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 18A...	-	1	580	提交询价
RSS075P03FU6TB	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A...	-	1	580	提交询价
RSS075P03TB	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A...	-	1	580	提交询价
RSS075P03TB	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A...	-	1	580	提交询价
RSS075P03TB	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 7.5A...	-	1	580	提交询价

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