功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A...
-
1 616 提交询价
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A...
-
1 8,728 提交询价
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 10A...
-
1 4,078 提交询价
1 / 1 页 共 3 条