- 品牌：
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- IXYS (3)
- NXP USA Inc. (1)
- Vishay Siliconix (3)
- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 12.9... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 25V-... |
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2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 156 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 156 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 984 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 414 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 761 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 2,470 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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1 | 2,470 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 4A... |
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2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8... |
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1 | 5,024 | 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8... |
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1 | 5,024 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 2.8... |
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3,000 | 3,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 25A ... |
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1 | 2,923 | 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHAN 25A ... |
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1 | 2,923 | 加入购物车 提交询价 |
