- 系列：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 漏源电压（Vdss）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
70 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | ISOTOP PARALL. |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 550V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V I2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V H2P... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.5... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET P-CH 80V DP... |
|
2,500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
2,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
920 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | POWER TRANSISTOR... |
|
600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET |
|
1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | NCHANNEL 600 V 105 M... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 21A... |
|
3,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CHANNEL... |
|
600 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
