零件状态:
供应商器件封装:
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
电压 - 集射极击穿(最大值):
IGBT 类型:
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
电流 - 集电极截止(最大值):
不同 Vce 时的输入电容(Cies):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
VS-GT100TP60N Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 160A 417W IN...
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APT50GR120JD30 Microsemi Corporation
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