- 品牌:
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- IXYS (10)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- IGBT 类型:
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- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
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- 电流 - 集电极截止(最大值):
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- 不同 Vce 时的输入电容(Cies):
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- 输入:
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24 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 50... |
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STMicroelectronics | IGBT TRENCH 650V 50... |
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IXYS | MOD IGBT PHASE LE... |
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IXYS | MOD IGBT PHASE LE... |
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IXYS | MOD IGBT BOOST/CH... |
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IXYS | MOD IGBT BST/CHOP... |
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IXYS | MOD IGBT BUCK 600V... |
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IXYS | MOD IGBT BUCK 1200V... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH F... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 85A 208W IN... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH P... |
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Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT 1200V ... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH 3... |
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IXYS | MOD IGBT H-BRIDGE... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH F... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT 3... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT F... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT NP... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT D... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT D... |
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