- 品牌：
-
- ON Semiconductor (2)
- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
-
- 功率 - 最大值：
-
- IGBT 类型：
-
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
-
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
-
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
-
- 已选条件：
28 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE - IG... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE - CO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE IGB... |
|
1 | 1 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | PIM 1200V, 160A SPLIT... |
|
1 | 9 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | PIM 1200V, 80A TNPC C... |
|
1 | 10 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE IGB... |
|
1 | 2 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 61A 216W EM... |
|
1 | 2 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE IGB... |
|
1 | 14 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MODULE - IG... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOD IGBT 600V 80A SP... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 379A 1250W D... |
|
12 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOD IGBT 600V 50A SP... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | MOD IGBT 600V 32A SP... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | LOW POWER ECONO |
|
10 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT4 3L... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
|
6 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT 3LEV... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT 3L... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 3-LEVEL INVE... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 109A 294W EM... |
|
60 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
