- 封装/外壳：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE TREN... |
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Microsemi Corporation | IGBT4 PHASE LEG 12... |
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Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT4 1200V... |
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Microsemi Corporation | PWR MOD IGBT4 1200V... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 610A 2080W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 610A 2080W D... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT4 P... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1700V 400A 1250W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1700V 400A 1250W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 420A 1500W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 420A 1500W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 420A 2100W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 420A 2100W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT P... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 300A 1400W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 300A 1400W D... |
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Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT P... |
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