- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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21 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 5... |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 7... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 280A 1147W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 530A 2119W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 500A 1645W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 330A 1316W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 360A 1136W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1008W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 660A 2660W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 543W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 550A 2841W I... |
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Infineon Technologies | IGBT FT150R12KE3GB4... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 500A 1645W I... |
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Infineon Technologies | IGBT FS75R12KE3B3NO... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 500A 1645W I... |
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Infineon Technologies | IGBT FS100R12KE3B3N... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 600A 2119W D... |
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