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晶体管 - IGBT - 模块
品牌：
IXYS
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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(1)
工作温度：
-40°C ~ 125°C （TJ）
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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封装/外壳：
12-MTP 模块
(1)
E2
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供应商器件封装：
E2
(2)
MTP
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100A
(1)
17A
(1)
65A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
(2)
600V
(1)
功率 - 最大值：
347W
(1)
350W
(1)
60W
(1)
配置：
三相反相器，带制动器
(1)
全桥反相器
(1)
半桥
(1)
IGBT 类型：
NPT
(2)
PT
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.1V @ 15V，9A
(1)
3.4V @ 15V，140A
(1)
3.8V @ 15V，50A
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不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
-
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3.3nF @ 25V
(1)
8nF @ 30V
(1)
输入：
三相桥式整流器
(1)
标准
(2)
NTC 热敏电阻：
无
(2)
是
(1)
已选条件：
晶体管 - IGBT - 模块
电流 - 集电极截止（最大值） : 700µA
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MIXA10WB1200TED
IXYS
IGBT MODULE 1200V 1...
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MKI50-12F7
IXYS
MOD IGBT H-BRIDGE...
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VS-70MT060WHTAPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 100A 347W MT...
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IGBT MODULE 1200V 12A HEX
库存 : 580
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IXYS
MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 65A E2
库存 : 580
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 100A 347W MTP
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