- 品牌：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 149A 862W S... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-2... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-2... |
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Microsemi Corporation | MOD IGBT NPT SIC ... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | TRANSISTOR INSLT... |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 100A 500W S... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 130A 735W S... |
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 120A 416W SO... |
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