- 品牌：
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- ON Semiconductor (4)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 配置：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - CO... |
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Microsemi Corporation | POWER MODULE IGB... |
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STMicroelectronics | IGBT N-CHAN 600V 50A... |
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ON Semiconductor | IGBT MOLDING 600V ... |
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ON Semiconductor | IGBT MOLDING 600V ... |
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ON Semiconductor | IGBT MOLDING 600V ... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT UFAST 600V 100A... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH F... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT3 F... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT FU... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH D... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRPL DUA... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT 3P... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 100A 480W E... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 100A 480W E... |
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Microsemi Corporation | IGBT PHASE LEG TR... |
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Microsemi Corporation | POWER MOD IGBT 600... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRPL DUA... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SO... |
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Microsemi Corporation | POWER MODULE IGB... |
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