- 品牌：
-
- 供应商器件封装：
-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
-
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
-
21 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 80A 463W MT... |
|
1 | 43 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 149A 862W S... |
|
1 | 279 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 40A 240W MT... |
|
105 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 20A 240W MT... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 30A 187W MT... |
|
105 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 80A 463W MT... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | TRANSISTOR INSLT... |
|
160 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT T... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT F... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 600V 110A 416W SP... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT P... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT D... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 312W SP... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT MODULE NPT P... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |
