- 品牌：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 电流 - 集电极截止（最大值）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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34 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MODULE IGBT AG-62M... |
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Infineon Technologies | MODULE IGBT AG-62M... |
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Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 6... |
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Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 6... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 69A 195W MT... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 530A 2119W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 500A 1645W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 650A 2500W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 360A 1136W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 620A 2500W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1008W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 420A 1562W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 370A 1562W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 300A 1389W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W I... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 800A 2604W I... |
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Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 6... |
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