- 工作温度：
-
- 封装/外壳：
-
- 供应商器件封装：
-
- 功率 - 最大值：
-
- IGBT 类型：
-
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
-
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
-
11 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | IGBT MODULE 1200V 8... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MODULE IGBT IHV19... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOD IGBT MED PWR ... |
|
2 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOD IGBT 1800V IHV1... |
|
2 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
|
2 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
|
2 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 1700V 800A 2080W D... |
|
100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOD IGBT MED PWR ... |
|
8 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOD IGBT MED POWE... |
|
6 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 800A 2604W I... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 2 MED POWER 6... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
