- 品牌：
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- 零件状态：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
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16 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 260W SO... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 35A 260W SO... |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH F... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH P... |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
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Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES... |
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Infineon Technologies | MOD IGBT LOW PWR ... |
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Infineon Technologies | MOD IGBT LOW PWR ... |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH 3... |
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Infineon Technologies | MOD IGBT LOW PWR ... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH F... |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 55A 205W D1 |
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Microsemi Corporation | IGBT MOD TRENCH P... |
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