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晶体管 - IGBT - 模块
品牌：
Infineon Technologies
(1)
IXYS
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收起
零件状态：
停產
(1)
在售
(2)
工作温度：
-40°C ~ 125°C （TJ）
(2)
-40°C ~ 150°C
(1)
封装/外壳：
E10
(1)
E11
(1)
模块
(1)
供应商器件封装：
E10
(1)
E11
(1)
模块
(1)
功率 - 最大值：
-
(2)
13000W
(1)
配置：
全桥
(1)
单开关
(2)
IGBT 类型：
NPT
(2)
沟槽型场截止
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
3.1V @ 15V，1200A
(2)
3.2V @ 15V，1200A
(1)
电流 - 集电极截止（最大值）：
120mA
(2)
5mA
(1)
不同 Vce 时的输入电容（Cies）：
-
(1)
187nF @ 25V
(1)
210nF @ 25V
(1)
已选条件：
晶体管 - IGBT - 模块
电压 - 集射极击穿（最大值） : 3300V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 1200A
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FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
MODULE IGBT IHVB...
¥13,164.45
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MIO1200-33E10
IXYS
MOD IGBT SGL SWIT...
¥12,924.22
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MIO1200-33E11
IXYS
IGBT MODULE SGL 1...
-
1
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FZ1200R33HE3BPSA1
Infineon Technologies
MODULE IGBT IHVB190-3
库存 : 580
¥13,164.45
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MIO1200-33E10
IXYS
MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10
库存 : 580
¥12,924.22
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MIO1200-33E11
IXYS
IGBT MODULE SGL 1200A E11
库存 : 580
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