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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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供应商器件封装：
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TO-3P
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反向恢复时间（trr）：
-
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脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
100A
(1)
80A
(1)
栅极电荷：
62nC
(1)
72nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/270ns
(1)
25ns/150ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
功率 - 最大值 : 190W
工作温度 : -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 : 通孔
IGBT 类型 : PT
电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 40A
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