电压 - 集射极击穿(最大值):
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
栅极电荷:
25°C 时 Td(开/关)值:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IRG7CH30K10EF Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
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IRGC4064B Infineon Technologies
IGBT CHIP WAFER
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