- 品牌:
-
- IXYS (19)
- ON Semiconductor (2)
- 封装/外壳:
-
- 供应商器件封装:
-
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):
-
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
-
- 功率 - 最大值:
-
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
-
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-
52 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON Semiconductor | IGBT 400V 45W IPAK |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 400V 45W IPAK |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 600V 48A TO247 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 600V 55A 200W SU... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 1200V 50A 192.3W T... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 1100V 55A 227.2W T... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPA... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 600V FULLPAK2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 600V FULLPAK2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 600V FULLPAK2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Toshiba Semiconductor and Storage | IGBT 1000V 60A 170W TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 1200V 55A 227.2W T... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 1100V 60A 250W TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT TO220AB |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 330V 28A 43W TO2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 600V 40A 178.5W T... |
|
1 | 15 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 600V ISOPLUS2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 600V ISOPLUS2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 600V 75A ISOPL... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 600V ISOPLUS2... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |