晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

电压 - 集射极击穿（最大值）：

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：

开关能量：

栅极电荷：

25°C 时 Td（开/关）值：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IHW20N135R3FKSA1	Infineon Technologies	IGBT 1350V 20A 310W TO...		¥30.16	1	580	加入购物车提交询价
	IHW20N120R3FKSA1	Infineon Technologies	IGBT 1200V 40A 310W TO...		¥24.67	1	580	加入购物车提交询价

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