- 品牌：
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- IXYS (14)
- ON Semiconductor (8)
- Sanken (3)
- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- IGBT 类型：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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62 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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IXYS | IGBT 1200V 40A 190W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | INSULATED GATE B... |
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90 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 35A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FA... |
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822 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 5A 25W TO2... |
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50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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968 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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1,100 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A SAWN ... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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1,489 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 10A SAWN ... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
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207 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Sanken | IGBT 600V 30A 60W TO3... |
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1,080 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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3,405 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 8A SAWN O... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIEL... |
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243 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT CHIP WAFER |
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3,708 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
