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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
品牌：
Infineon Technologies
(1)
IXYS
(2)
更多
收起
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
供应商器件封装：
PG-TO247-3
(1)
TO-247AD（IXGH）
(2)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
40A
(2)
60A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1000V
(1)
1200V
(2)
功率 - 最大值：
190W
(2)
412W
(1)
测试条件：
-
(1)
600V，30A，26 欧姆，15V
(1)
960V，20A，10 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
PT
(1)
沟槽型场截止
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.7V @ 15V，30A
(1)
3.4V @ 15V，20A
(2)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
(1)
80A
(1)
90A
(1)
栅极电荷：
209nC
(1)
72nC
(2)
25°C 时 Td（开/关）值：
-/846ns
(1)
25ns/150ns
(2)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
零件状态 : 停產
开关能量 : 2.1mJ（关）
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
PDF
价格
起订量
库存
操作
IXGH20N120BD1
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO...
-
1
580
提交询价
IXGH20N120B
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO...
-
1
580
提交询价
IHW30N100R
Infineon Technologies
IGBT 1000V 60A 412W TO...
-
1
580
提交询价
IXGH20N120BD1
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
库存 : 580
询价
IXGH20N120B
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
库存 : 580
询价
IHW30N100R
Infineon Technologies
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
库存 : 580
询价
1 / 1 页 共 3 条
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