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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
品牌：
IXYS
(2)
Renesas Electronics America
(1)
更多
收起
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
175°C（TJ）
(1)
封装/外壳：
SC-94
(1)
TO-247-3
(2)
供应商器件封装：
TO-247AD（IXGH）
(2)
TO-3PFP
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
40A
(2)
60A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
(2)
650V
(1)
功率 - 最大值：
190W
(2)
63.5W
(1)
测试条件：
-
(1)
400V，30A，10 欧姆，15V
(1)
960V，20A，10 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
PT
(1)
沟道
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.68V @ 15V，30A
(1)
3.4V @ 15V，20A
(2)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
(2)
80A
(1)
开关能量：
2.1mJ（关）
(2)
330µJ（开），760µJ（关）
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/150ns
(2)
35ns/120ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
零件状态 : 停產
栅极电荷 : 72nC
3 条记录
图片
型号
品牌
描述
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价格
起订量
库存
操作
RJP65T54DPM-A0#T2
Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60...
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IXGH20N120BD1
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO...
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1
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IXGH20N120B
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO...
-
1
580
提交询价
RJP65T54DPM-A0#T2
Renesas Electronics America
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
库存 : 580
询价
IXGH20N120BD1
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
库存 : 580
询价
IXGH20N120B
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO247
库存 : 580
询价
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