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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
工作温度：
-
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
120A
(1)
150A
(1)
功率 - 最大值：
-
(1)
250W
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
沟道
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
-
(1)
1.8V @ 15V，60A
(1)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
(1)
200A
(1)
栅极电荷：
-
(1)
134nC
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
零件状态 : 停產
供应商器件封装 : TO-263（IXGA）
电压 - 集射极击穿（最大值） : 300V
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IXGA150N30TC
IXYS
IGBT 300V 150A TO263A...
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580
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IXGA120N30TC
IXYS
IGBT 300V 120A 250W TO...
-
1
580
提交询价
IXGA150N30TC
IXYS
IGBT 300V 150A TO263AA
库存 : 580
询价
IXGA120N30TC
IXYS
IGBT 300V 120A 250W TO263AA
库存 : 580
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