- 品牌：
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- IXYS (2)
- ON Semiconductor (6)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 反向恢复时间（trr）：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | IGBT 600V 22A 156W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
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1 | 1,219 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
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1 | 1,219 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO... |
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800 | 800 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V D2PAK-3 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | INSULATED GATE B... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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IXYS | IGBT 1200V 38A 200W TO... |
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800 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 12A 68W TO2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 28A 167W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 11A 63W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 31A 208W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 |
