- 品牌:
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- ON Semiconductor (3)
- 零件状态:
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- 供应商器件封装:
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 功率 - 最大值:
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- 测试条件:
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- 反向恢复时间(trr):
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- IGBT 类型:
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- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
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- 开关能量:
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- 栅极电荷:
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24 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 235W TO... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 15A 1200V TO-247 |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1350V 40A 310W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1350V 20A 310W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 330W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 42... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 600V 40A 166W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1350V 15A TO247-3 |
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210 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 42... |
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500 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 15A TO247 |
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1 | 108 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 40A 288W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT TRENCH 650V 42... |
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1 | 351 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | IGBT 650V 40A 144W TO... |
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1 | 146 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200 V 15A TO247-... |
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1 | 263 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IC DISCRETE 600V T... |
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1 | 240 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Diodes Incorporated | IGBT600V-XITO-220AB |
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1 | 1,192 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 1200V 30A 217W TO... |
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1 | 230 | 加入购物车 提交询价 |