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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列：
GenX3™
(2)
GenX3™，XPT™
(1)
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
-
(1)
130A
(1)
75A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
300V
(1)
600V
(1)
650V
(1)
功率 - 最大值：
223W
(1)
300W
(1)
600W
(1)
测试条件：
200V，21A，10 欧姆，15V
(1)
400V，30A，3 欧姆，15V
(1)
400V，36A，5 欧姆，15V
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.85V @ 15V，42A
(1)
2.1V @ 15V，36A
(1)
2.5V @ 15V，30A
(1)
开关能量：
1.3mJ（开），370µJ（关）
(1)
120µJ（开），150µJ（关）
(1)
410µJ（开），230µJ（关）
(1)
栅极电荷：
76nC
(1)
77nC
(1)
80nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
19ns/60ns
(1)
21ns/113ns
(1)
22ns/80ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 250A
IGBT 类型 : PT
供应商器件封装 : TO-220AB
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IXYS
IGBT 650V 130A 600W TO...
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