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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
电压 - 集射极击穿（最大值）：
300V
(1)
600V
(1)
功率 - 最大值：
460W
(1)
660W
(1)
测试条件：
200V，50A，2 欧姆，15V
(1)
480V，60A，2 欧姆，15V
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.85V @ 15V，100A
(1)
1.8V @ 15V，90A
(1)
开关能量：
1.32mJ（开），1.37mJ（关）
(1)
230µJ（开），520µJ（关）
(1)
栅极电荷：
162nC
(1)
172nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/105ns
(1)
31ns/150ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 500A
供应商器件封装 : TO-247AD（IXGH）
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IXGH100N30C3
IXYS
IGBT 300V 75A 460W TO...
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IXGH90N60B3
IXYS
IGBT 600V 75A 660W TO...
¥123.68
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IXGH100N30C3
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IGBT 300V 75A 460W TO247
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