- 品牌:
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- IXYS (4)
- ON Semiconductor (6)
- Sanken (1)
- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 功率 - 最大值:
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- 测试条件:
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- IGBT 类型:
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- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
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- 开关能量:
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- 栅极电荷:
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44 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 1200V 40A 310W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 25A DIE |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1 | 988 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1 | 988 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 1250V 50A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1 | 2,869 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1 | 2,869 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 35A 125W D2P... |
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1 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 305W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 60A 305W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 1200V 50A 313W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | IGBT 1200V 64A 357W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 1250V 50A 250W TO... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 1700V 24A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Sanken | IGBT 600V 16A TO-3PF |
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1,080 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
IXYS | IGBT 1700V 24A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | IGBT |
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1 | 1,000 | 加入购物车 提交询价 |