- 品牌:
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- IXYS (1)
- ON Semiconductor (27)
- Rohm Semiconductor (12)
- STMicroelectronics (30)
- 系列:
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- 封装/外壳:
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- 供应商器件封装:
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- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):
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- 电压 - 集射极击穿(最大值):
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- 功率 - 最大值:
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- 测试条件:
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- 反向恢复时间(trr):
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- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
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- 开关能量:
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- 栅极电荷:
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- 25°C 时 Td(开/关)值:
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103 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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STMicroelectronics | IGBT 1200V 80A 468W TO... |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT BIPO 1200V 40A ... |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | IGBT 1200V-X TO247 TU... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 62.5W TO... |
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1 | 104 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 62.5W TO... |
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1 | 236 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT 600V 80A 283W TO... |
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1 | 161 | 加入购物车 提交询价 | |||
Renesas Electronics America | IGBT 600V 80A 260.4W |
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1 | 179 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
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1 | 943 | 提交询价 | |||
STMicroelectronics | TRENCH GATE FIEL... |
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1 | 943 | 加入购物车 提交询价 | |||
STMicroelectronics | IGBT BIPO 650V 40A D... |
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1,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
ON Semiconductor | 650V FS4 TRENCH IGB... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT FIELD STOP 6... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT HS SW 1200V 40A... |
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1 | 228 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | IGBT 1200V 80A TO247-4 |
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1 | 140 | 加入购物车 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | IGBT 900V 101A 543W TM... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 543W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | |||
ON Semiconductor | IGBT 600V 40A 160W TO... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Rohm Semiconductor | IGBT 650V 70A 234W TO... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Alpha & Omega Semiconductor Inc. | IGBT 600V 80A 312.5W T... |
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240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Diodes Incorporated | IGBT 600V-X TO247 TU... |
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450 | 580 | 加入购物车 提交询价 |