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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
品牌：
IXYS
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STMicroelectronics
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收起
系列：
GenX3™，XPT™
(1)
PowerMESH™
(1)
零件状态：
停產
(1)
在售
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工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
供应商器件封装：
TO-247-3
(1)
TO-247（IXYH）
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
105A
(1)
80A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
(1)
900V
(1)
功率 - 最大值：
260W
(1)
600W
(1)
测试条件：
390V，40A，3.3 欧姆，15V
(1)
450V，40A，5 欧姆，15V
(1)
开关能量：
1.9mJ（开），1mJ（关）
(1)
330µJ（开），720µJ（关）
(1)
栅极电荷：
214nC
(1)
74nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
27ns/78ns
(1)
43ns/140ns
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已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 200A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 2.5V @ 15V，40A
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IGBT 600V 80A 260W TO...
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