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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
品牌：
Infineon Technologies
(1)
IXYS
(1)
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收起
系列：
-
(1)
TrenchStop™ 5
(1)
工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
(1)
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
(1)
供应商器件封装：
PG-TO263-3
(1)
TO-268
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
75A
(1)
80A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1700V
(1)
650V
(1)
功率 - 最大值：
270W
(1)
350W
(1)
测试条件：
1020V，32A，2.7 欧姆，15V
(1)
400V，50A，8.2 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
NPT
(1)
沟槽型场截止
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.7V @ 15V，50A
(1)
3.3V @ 15V，32A
(1)
开关能量：
1.23mJ（开），740µJ（关）
(1)
11mJ（关）
(1)
栅极电荷：
120nC
(1)
155nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/139ns
(1)
45ns/270ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 200A
包装 : 剪切带（CT）
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IGB50N65S5ATMA1
Infineon Technologies
IGBT PRODUCTS
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