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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1000V
(1)
1200V
(1)
600V
(1)
功率 - 最大值：
250W
(1)
300W
(1)
380W
(1)
测试条件：
400V，30A，5 欧姆，15V
(1)
600V，30A，3 欧姆，15V
(1)
800V，32A，10 欧姆，15V
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.8V @ 15V，30A
(1)
2.2V @ 15V，32A
(1)
4.4V @ 15V，30A
(1)
开关能量：
1.8mJ（开），550µJ（关）
(1)
2.6mJ（开），9.5mJ（关）
(1)
390µJ（开），800µJ（关）
(1)
栅极电荷：
142nC
(1)
80nC
(1)
87nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/130ns
(1)
20ns/125ns
(1)
24ns/385ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 200A
电流 - 集电极（Ic）（最大值） : 75A
系列 : GenX3™
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IXGH32N100A3
IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO...
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IXYS
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IXYS
IGBT 600V 75A 250W TO...
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IXGH32N100A3
IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247AD
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