零件状态:
供应商器件封装:
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
IGBT 类型:
25°C 时 Td(开/关)值:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GT10G131(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage
IGBT 400V 1W 8-SOIC
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