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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1000V
(1)
1200V
(2)
测试条件：
800V，45A，2.7 欧姆，15V
(1)
960V，45A，2.7 欧姆，15V
(1)
960V，45A，5 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
-
(2)
PT
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.7V @ 15V，45A
(1)
3V @ 15V，45A
(2)
开关能量：
13mJ（关）
(1)
15mJ（关）
(1)
21mJ（关）
(1)
栅极电荷：
120nC
(1)
150nC
(1)
165nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/360ns
(1)
80ns/400ns
(2)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 180A
供应商器件封装 : TO-247AD（IXSH）
3 条记录
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型号
品牌
描述
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库存
操作
IXSH45N120B
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO...
-
1
580
提交询价
IXSH45N120
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO...
-
1
580
提交询价
IXSH45N100
IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO...
-
1
580
提交询价
IXSH45N120B
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247
库存 : 580
询价
IXSH45N120
IXYS
IGBT 1200V 75A 300W TO247AD
库存 : 580
询价
IXSH45N100
IXYS
IGBT 1000V 75A 300W TO247
库存 : 580
询价
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