零件状态:
封装/外壳:
电流 - 集电极(Ic)(最大值):
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
反向恢复时间(trr):
IGBT 类型:
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):
输入类型:
栅极电荷:
25°C 时 Td(开/关)值:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APT70GR65B2SCD30 Microsemi Corporation
INSULATED GATE B...
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