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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列：
GenX3™
(2)
GenX3™，XPT™
(1)
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
供应商器件封装：
TO-247AD（IXGH）
(2)
TO-247（IXYH）
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
200A
(1)
75A
(2)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
300V
(2)
650V
(1)
功率 - 最大值：
300W
(1)
333W
(1)
830W
(1)
测试条件：
200V，30A，5 欧姆，15V
(1)
200V，42.5A，3.3 欧姆，15V
(1)
400V，50A，3 欧姆，15V
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
PT
(2)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.8V @ 15V，60A
(1)
1.9V @ 15V，85A
(1)
2.3V @ 15V，70A
(1)
开关能量：
150µJ（开），300µJ（关）
(1)
2.15mJ（开），840µJ（关）
(1)
200µJ（开），390µJ（关）
(1)
栅极电荷：
101nC
(1)
136nC
(1)
164nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
23ns/108ns
(1)
25ns/100ns
(1)
28ns/106ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 420A
反向恢复时间（trr） : -
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