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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
175A
(1)
223A
(1)
功率 - 最大值：
520W
(1)
625W
(1)
反向恢复时间（trr）：
-
(1)
100ns
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
PT
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
栅极电荷 : 315nC
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 1000A
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MMIX1X200N60B3H1
IXYS
IGBT 600V 175A 520W SM...
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MMIX1X200N60B3
IXYS
IGBT 600V 223A 625W SM...
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IGBT 600V 175A 520W SMPD
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