- 品牌：
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- Infineon Technologies (373)
- IXYS (266)
- ON Semiconductor (163)
- STMicroelectronics (89)
- 系列：
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- 工作温度：
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- 安装类型：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
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- 功率 - 最大值：
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- 测试条件：
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- 反向恢复时间（trr）：
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- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
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- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
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- 开关能量：
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- 栅极电荷：
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- 25°C 时 Td（开/关）值：
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926 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 32A 200W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 36A 200W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 42A 184W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 900V 43A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 56A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 45A 195W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 41A 250W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 600V 41A 187W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Microsemi Corporation | IGBT 1200V 25A 156W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 390V 20A 150W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 390V 20A 150W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 200W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 480V 51A 300W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 300V 70A 178W D2P... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | IGBT 300V 110A 255W D2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 300V 52W TO220F |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 600V 70A 290W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 600V 14A 41W TO2... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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ON Semiconductor | IGBT 300V 90A 219W TO... |
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1 | 580 | 提交询价 |
