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分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列：
-
(1)
BIMOSFET™
(1)
XPT™，GenX3™
(2)
包装：
-
(1)
散装
(1)
管件
(2)
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
(3)
-55°C ~ 175°C（TJ）
(1)
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
(1)
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
(3)
供应商器件封装：
TO-263HV
(1)
TO-268
(2)
TO-268HV
(1)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
36A
(1)
40A
(2)
70A
(1)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
1200V
(3)
3600V
(1)
功率 - 最大值：
190W
(1)
230W
(1)
278W
(1)
430W
(1)
测试条件：
1500V，20A，10 欧姆，15V
(1)
600V，20A，10 欧姆，15V
(2)
960V，20A，10 欧姆，15V
(1)
反向恢复时间（trr）：
1.7µs
(1)
29ns
(2)
40ns
(1)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
100A
(1)
220A
(1)
88A
(1)
96A
(1)
开关能量：
1.3mJ（开），1mJ（关）
(2)
15.5mJ（开），4.3mJ（关）
(1)
2.1mJ（关）
(1)
栅极电荷：
110nC
(1)
53nC
(2)
72nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/238ns
(1)
20ns/90ns
(2)
25ns/150ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
安装类型 : 表面贴装
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） : 3.4V @ 15V，20A
4 条记录
图片
型号
品牌
描述
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价格
起订量
库存
操作
IXGT20N120BD1
IXYS
IGBT 1200V 40A 190W TO...
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IXYS
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IXBT20N360HV
IXYS
IGBT 3600V 70A TO-268H...
¥315.76
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IXYS
IGBT
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IGBT 1200V 40A 190W TO268
库存 : 580
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IGBT 3600V 70A TO-268HV
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IXYT20N120C3D1HV
IXYS
IGBT
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