- 品牌：
-
- IXYS (5)
- ON Semiconductor (5)
- 零件状态：
-
- 封装/外壳：
-
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
-
- 功率 - 最大值：
-
- 测试条件：
-
- IGBT 类型：
-
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
-
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
- 开关能量：
-
- 栅极电荷：
-
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-
66 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | INDUSTRY 14 |
|
240 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
IXYS | IGBT |
|
50 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | IGBT 600V 10A TO-220 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V TO220 COPA... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPA... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V TO247 COPA... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8PQFN |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 600V 8PQFN |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | IGBT 650V |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | DIODE IGBT 680V 24A... |
|
250 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Renesas Electronics America | IGBT 1100V 60A 250W TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | IGBT BIPO 600V 60A T... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | DIODE IGBT 680V 24A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
ON Semiconductor | IGBT 1200V 15A BIPOL... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 600V 148A 500W SO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 15A TO247 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 600V 155A 536W TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Microsemi Corporation | IGBT 900V 101A 543W TM... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | IGBT 1200V 100A DIE |
|
1,332 | 580 | 加入购物车 提交询价 |
