晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

电压 - 集射极击穿（最大值）：

测试条件：

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：

栅极电荷：

25°C 时 Td（开/关）值：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	STGD20N40LZ	STMicroelectronics	IGBT 390V 25A 125W DP...		¥8.14	2,500	580	加入购物车提交询价
	STGD18N40LZT4	STMicroelectronics	IGBT 420V 25A 125W DP...		¥5.69	2,500	580	加入购物车提交询价

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