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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
零件状态：
停產
(1)
在售
(3)
工作温度：
-
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(3)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
(2)
900V
(2)
测试条件：
-
(1)
480V，40A，2 欧姆，15V
(1)
480V，40A，5 欧姆，15V
(1)
720V，50A，5 欧姆，15V
(1)
反向恢复时间（trr）：
-
(3)
200ns
(1)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.7V @ 15V，40A
(1)
2.7V @ 15V，50A
(2)
2V @ 15V，40A
(1)
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
-
(1)
200A
(2)
300A
(1)
开关能量：
380µJ（关）
(1)
4.7mJ（关）
(2)
550µJ（关）
(1)
栅极电荷：
135nC
(2)
138nC
(1)
140nC
(1)
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/115ns
(1)
18ns/190ns
(1)
20ns/350ns
(2)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
供应商器件封装 : TO-268
功率 - 最大值 : 400W
IGBT 类型 : PT
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IXGT50N90B2
IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO...
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IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO...
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IXGT50N60B2
IXYS
IGBT 600V 75A 400W TO...
-
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IXGT50N90B2D1
IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO...
¥64.53
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IXGT50N90B2
IXYS
IGBT 900V 75A 400W TO268
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IGBT 600V 75A 400W TO268
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IGBT 900V 75A 400W TO268
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