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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
(1)
GenX3™
(1)
GenX3™，XPT™
(1)
工作温度：
-
(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）
(2)
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
104A
(1)
75A
(2)
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3000V
(1)
600V
(2)
功率 - 最大值：
500W
(1)
540W
(2)
测试条件：
1500V，42A，20 欧姆，15V
(1)
480V，50A，3 欧姆，15V
(2)
反向恢复时间（trr）：
-
(2)
1.7µs
(1)
IGBT 类型：
-
(1)
PT
(2)
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
1.35V @ 15V，60A
(1)
1.8V @ 15V，60A
(1)
3V @ 15V，42A
(1)
开关能量：
-
(1)
1.38mJ（开），1.05mJ（关）
(1)
1.38mJ（开），3.5mJ（关）
(1)
栅极电荷：
200nC
(1)
230nC
(2)
25°C 时 Td（开/关）值：
31ns/150ns
(1)
31ns/320ns
(1)
72ns/445ns
(1)
已选条件：
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
供应商器件封装 : TO-268
脉冲电流 - 集电极 (Icm) : 400A
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IXBT42N300HV
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IGBT 3000V 42A 357W TO...
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IGBT 600V 75A 540W TO...
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO...
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IGBT 3000V 42A 357W TO268
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